OptiMOS™ 6 60V Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 60V Power MOSFETs deliver superior performance via robust power MOSFET technology. The OptiMOS 60V Power MOSFETs provide >37% lower RDS(on) and ~25% higher FOMQg x RDS(on) performance than OptiMOS 5. The Infineon OptiMOS 6 60V Power MOSFETs offer higher system efficiency and power density in soft-switching topologies and low-frequency applications.

Wyniki: 14
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Opakowanie
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Karta charakterystyki
8 536Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 344 A 900 uOhms 20 V 3.3 V 97 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Karta charakterystyki
3 859Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 57 A 7.2 mOhms 20 V 3.3 V 12.3 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Karta charakterystyki
4 198Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 6 000

Si SMD/SMT PG-WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 60 V 178 mA 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 125 mW Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Karta charakterystyki
4 768Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 6 000

Si SMD/SMT PG-TSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 178 mA 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 125 mW Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Karta charakterystyki
3 252Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 378 A 800 uOhms 20 V 2.3 V 68 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Karta charakterystyki
3 891Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 143 A 2.5 mOhms 20 V 2.3 V 22 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Karta charakterystyki
3 842Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 149 A 2.3 mOhms 20 V 2.3 V 22 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Karta charakterystyki
3 960Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT PG-TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 137 A 2.5 mOhms 20 V 3.3 V 32 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Karta charakterystyki
3 829Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 62 A 6 mOhms 20 V 3.3 V 12.4 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power -Transistor, 60 V
Karta charakterystyki
4 113Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power -Transistor, 60 V
Karta charakterystyki
5 000Oczekiwane: 15.07.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Karta charakterystyki
5 000Oczekiwane: 29.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 178 mA 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 125 mW Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Karta charakterystyki
5 000Oczekiwane: 29.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TTFN-9 N-Channel 1 Channel 60 V 178 mA 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 125 mW Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Karta charakterystyki
4 000Oczekiwane: 10.12.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 4 000

Si SMD/SMT PG-WSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 344 A 900 uOhms 20 V 3.3 V 121 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement Reel, Cut Tape