High Voltage Fast Switching Transistors

onsemi's high voltage fast switching transistors are bipolar junction transistors that provide ultra-fast switching speeds and low saturation voltage. The FJD5555 offers saturation voltage as low as 0.5V and the FJD5553 as low as 0.23V. The energy-efficient transistors feature a high breakdown voltage of 1050V and are packed in space-conserving 64mm2 DPAK packaging. The devices are ideal for electronic ballast, power supply, and industrial designs.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Konfiguracja Maksymalny prąd DC kolektora Max. napięcie kolektor-emiter VCEO Napięcie kolektor-baza VCBO Napięcie emiter–baza VEBO Napięcie nasycenia kolektor-emiter Pd – strata mocy Maksymalna temperatura robocza Seria Opakowanie

onsemi Bipolar Transistors - BJT High Volt Fast Switching Trans 34 798Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN Single 3 A 400 V 1.05 kV 14 V 230 mV 1.25 W + 150 C FJD5553 Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Bipolar Transistors - BJT High Volt Fast Switching Trans 3 144Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN Single 5 A 400 V 1.05 kV 14 V 1.5 V 1.34 W + 150 C FJD5555 Reel, Cut Tape, MouseReel