RBQxx45ANZ Low IR Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor RBQxx45ANZ Low IR Schottky Barrier Diodes are cathode common type diodes that come in a power mold type (TO-220FN) package. These diodes are manufactured using silicon epitaxial planar type construction. ROHM Semiconductor RBQxx45ANZ Barrier Diodes offer low IR and high reliability and are ideally suited for switching power supplies and general rectification.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Produkt
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Konfiguracja
Technologia
If – prąd przewodzenia diody
Vrrm – powtarzajace się napięcie wsteczne
Vf – Napięcie przewodzenia
Ifsm – prąd udarowy przewodzenia
Ir – Prąd wsteczny
Maksymalna temperatura robocza
Opakowanie
ROHM Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Barrier Diode Low IR, 45V, 20A, ITO-220AB
Karta charakterystyki
979Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Schottky Diodes Through Hole TO-220FN-3 Dual Anode Common Cathode Si 20 A 45 V 540 mV 100 A 30 uA + 150 C Tube
ROHM Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Barrier Diode Low IR, 45V, 30A, ITO-220AB
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Schottky Diodes Through Hole TO-220FN-3 Dual Anode Common Cathode Si 30 A 45 V 650 mV 100 A 450 uA + 150 C Tube