NVMFS5832NLWFT1G-UM

onsemi
863-FS5832NLWFT1G-UM
NVMFS5832NLWFT1G-UM

Produc.:

Opis:
MOSFETs Power MOSFET 40V, 120A, 4.2 mOhm, Single N-Channel, SO8-FL, Logic Level.

Cykl życia:
Nowe produkty:
Nowości od tego producenta.
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o onsemi NVMFS5832NLWFT1G-UM

Dostępność

Stany magazynowe:
0

Nadal możesz kupić ten produkt i dodać do zaległego zamówienia.

Dostępna ilość z otwartych zamówień:
1 500
Oczekiwane: 10.04.2026
Średni czas produkcji:
40
tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
7,27 zł 7,27 zł
4,64 zł 46,40 zł
3,19 zł 319,00 zł
2,71 zł 1 355,00 zł
2,26 zł 2 260,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1500)
2,26 zł 3 390,00 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
onsemi
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-5
N-Channel
1 Channel
40 V
120 A
4.2 mOhms
20 V
2.4 V
51 nC
- 55 C
+ 175 C
127 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marka: onsemi
Konfiguracja: Single
Czas zanikania: 8 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.: 21 S
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 24 ns
Seria: NVMFS5832NL
Wielkość opakowania producenta: 1500
Podkategoria: Transistors
Rodzaj tranzystora: 1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 27 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 13 ns
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

NVMx & NVTx Power MOSFETs

onsemi NVMx and NVTx Power MOSFETs are AEC−Q101 Qualified and offer compact and efficient solutions for automotive applications. NVMx and NVTx Power MOSFETs offer Low RDS(on) to minimize conduction losses and low QG and Capacitance to minimize driver losses. These onsemi single N-Channel MOSFETs are housed in a compact, SO-8FL, and WDFN8 packages and are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free, and RoHS Compliant.

N-Channel 40V & 60V Automotive Power MOSFETs

onsemi NVMFSCx Automotive Power 40V and 60V MOSFETs are available in 5mm x 6mm dual-sided cooled packages ideal for compact and efficient designs. The single N-Channel devices feature 1.5mΩ and 0.9mΩ RDS(on) drain-source on-resistance to minimize conductive losses. The MOSFETs includes a wettable flank option available for enhanced optical inspection. The devices are also AEC-Q101-qualified and PPAP-capable, making them suitable for automotive applications.

NVMFS5832NL Single N-Channel Power MOSFET

onsemi NVMFS5832NL Single N-Channel Power MOSFET is a high-performance MOSFET designed for low-voltage applications requiring efficient power switching. Built on advanced trench technology, the onsemi NVMFS5832NL offers an exceptionally low RDS(on) of 4.2mΩ at VGS = 10V, enabling reduced conduction losses and improved thermal performance. With a maximum drain-source voltage of 40V and a continuous drain current rating of up to 120A, this MOSFET is ideal for demanding environments such as DC-DC converters, synchronous rectification, and motor control. The compact 5mm x 6mm Power DFN package ensures high power density and excellent thermal dissipation, while the device’s low gate charge supports fast switching for enhanced efficiency in high-frequency designs.

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.