S34ML04G200BHV000

SkyHigh Memory
727-S34ML04G200BHV00
S34ML04G200BHV000

Produc.:

Opis:
NAND Flash SLC,4Gb,3x,3V,x8,4bit,VBM63,

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 94

Stany magazynowe:
94 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
53 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1   Maksymalnie: 100
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
25,66 zł 25,66 zł
23,90 zł 239,00 zł
23,18 zł 579,50 zł
22,64 zł 1 132,00 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
SkyHigh Memory
Kategoria produktów: Pamięci Flash NAND
RoHS:  
SMD/SMT
BGA-63
S34ML04G2
4 Gbit
Parallel
512 M x 8
Asynchronous
8 bit
2.7 V
3.6 V
35 mA
- 40 C
+ 105 C
Tray
Maksymalny odczyt aktywnego prądu: 30 mA
Marka: SkyHigh Memory
Wrażliwość na wilgoć: Yes
Rodzaj produktu: NAND Flash
Wielkość opakowania producenta: 210
Podkategoria: Memory & Data Storage
Jednostka masy: 4,368 g
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

                        
The factory is currently not accepting orders for this product.

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

Kody zgodności
TARIC:
8542326900
CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542320040
USHTS:
8542320051
JPHTS:
854232039
KRHTS:
8542321090
MXHTS:
8542320201
ECCN:
3A991.b.1.a
Klasyfikacja pochodzenia
Kraj pochodzenia:
Tajlandia
Kraj montażu:
Niedostępne
Kraj wytworzenia:
Niedostępne
Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

S34SML0xG2 Spansion SLC NAND Flash Memory

SkyHigh Memory S34SML0xG2 Spansion SLC NAND Flash Memory is offered with 3.3VCC or VCCQ power supplies and with either an x8 or x16 I/O interface. The S34SML0xG2 has a cost-effective NAND cell for the solid-state mass storage market. The memory is divided into blocks so valid data can be preserved while old data is erased independently.