RM135N100HD N-Channel Super Trench Power MOSFET

Rectron RM135N100HD N-Channel Super Trench Power MOSFET uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide efficient high-frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Opakowanie
Rectron MOSFETs
Karta charakterystyki
603Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 800

Si SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2) N-Channel 1 Channel 100 V 135 A 4.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 92 nC - 55 C + 175 C 210 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Rectron MOSFETs MOSFET D2-PAK
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 800
Wielokr.: 800
Szpula: 800

Si SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2) N-Channel 1 Channel 100 V 143 A 4.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 92 nC - 55 C + 175 C 210 W Enhancement Reel