Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

FMMT411TA

Name: Diodes Incorporated FMMT411TA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-FMMT411TA
Price: 13.93 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

621-FMMT411TA

Nr prod.:

FMMT411TA

Produc.:

Diodes Incorporated

Opis:

Bipolar Transistors - BJT Avalanche Transistor SOT23 T&R 3K

Karta charakterystyki:

FMMT411TA Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Diodes Incorporated FMMT411TA

Na stanie magazynowym: 1 985

Stany magazynowe:: 1 985 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 40 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	13,93 zł	13,93 zł
	9,12 zł	91,20 zł
	6,41 zł	641,00 zł
	5,68 zł	2 840,00 zł
	5,16 zł	5 160,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	4,82 zł	14 460,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Diodes Incorporated
Kategoria produktów:	Tranzystory bipolarne - BJT
RoHS:
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SOT-23-3
Polaryzacja tranzystora:	NPN
Konfiguracja:	Single
Maksymalny prąd DC kolektora:	600 mA
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	15 V
Napięcie kolektor-baza VCBO:	80 V
Napięcie emiter–baza VEBO:	7 V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter :	800 mV
Pd – strata mocy:	730 mW
Wzmacniacze GBP fT:	40 MHz
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Diodes Incorporated
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	DE
Rodzaj produktu:	BJTs - Bipolar Transistors
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Jednostka masy:	8 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

FMMT411TA Karta charakterystyki (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
ECCN:: EAR99

FMMT411T NPN Low Voltage Avalanche Transistor

Diodes Incorporated FMMT411T NPN Low Voltage Avalanche Transistor is a silicon planar bipolar transistor designed for operating in avalanche mode. Tight process control and low inductance packaging combine to produce high-current pulses with fast edges. The FMMT411T is specifically designed for low-voltage avalanche mode operation and has an 80A peak avalanche current.