XHP™ 2 1700V IGBT Modules

Infineon Technologies XHP™ 2 1700V IGBT Modules are high-performance power devices built on a scalable platform optimized for demanding high-power systems. The XHP 2 package features a low-inductive, multi-package housing that minimizes parasitic inductance and enables clean switching behavior. These characteristics help reduce voltage overshoot and switching losses in high-current applications. Combined with advanced TRENCHSTOP™ IGBT technologies and .XT interconnection, these modules deliver high current density, low saturation voltage, and robust thermal cycling capability, supporting reliable operation at elevated junction temperatures up to +175°C. High power density and a scalable mechanical design allow consistent integration across different converter platforms while maintaining efficiency and long service life.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Produkt Konfiguracja Max. napięcie kolektor-emiter VCEO Napięcie nasycenia kolektor-emiter Ciągły prąd kolektora przy 25°C Prąd upływowy bramka–emiter Pd – strata mocy Maksymalna temperatura robocza Opakowanie
Infineon Technologies IGBT Modules
3Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Module Module 1.7 kV 1.68 V 1.4 kA 200 nA 1.4 MW + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules
3Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Module Module 1.7 kV 1.65 V 2 kA 20 mW + 150 C Tray