Tranzystory mocy MOSFET RQ3xFRATCB

Motoryzacyjne tranzystory mocy MOSFET  RQ3xFRATCB firmy ROHM Semiconductor posiadają certyfikat AEC-Q101. Charakteryzują się zakresem napięcia dren-źródło od -40 V do 100 V, 8 zaciskami, rozpraszaniem mocy do 69 W i ciągłym prądem drenu od ±12 A  do ±27 A. Tranzystory mocy RQ3xFRATCB są dostępne w wersji z kanałem typu N i kanałem typu P. Tranzystory te zamknięte są w małych obudowach HSMT8AG o wymiarach 3,3 x 3,3 mm. Tranzystory mocy RQ3xFRATCB nadają się idealnie do zaawansowanych systemów wspomagania kierowcy (ADAS), systemów multimedialnych, oświetlenia oraz nadwozia.