Wyniki: 7
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Opakowanie
onsemi MOSFETs SuperFET3 650V 67 mOhm
Karta charakterystyki
4 470Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 20

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 67 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 78 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement SuperFET III Tube

onsemi MOSFETs SUPERFET3 650V TO247 N-CHANNEL
Karta charakterystyki
440Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 82 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 81 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement SuperFET III Tube
onsemi MOSFETs SuperFET3 650V 70mOhm
Karta charakterystyki
882Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 40
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 70 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 78 nC - 55 C + 150 C 312 W Enhancement SuperFET III Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi MOSFETs 650V N-Channel SuperFET III MOSFET
Karta charakterystyki
125Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 23 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 222 nC - 55 C + 150 C 595 W Enhancement SuperFET III Tube

onsemi MOSFETs SF3 FRFET 650V 82MOHM
Karta charakterystyki
2 269Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 70 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 81 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement SuperFET III Tube

onsemi MOSFETs 650V 44A N-Channel SuperFET MOSFET
Karta charakterystyki
783Na stanie magazynowym
800Oczekiwane: 22.06.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 100

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 67 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 78 nC - 55 C + 150 C 312 W Enhancement SuperFET III Tube

onsemi MOSFETs SF3 FRFET 650V 27MOHM
Karta charakterystyki
900Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 90

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 23 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 259 nC - 55 C + 150 C 595 W Enhancement SuperFET III Tube