Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

The Vishay Semiconductors V, VB, and VF Trench MOS Barrier Schottky Rectifier series delivers extremely low forward voltage drop and superior switching performance for improved efficiency of switchmode power supplies (SMPS).The low VF reduces power loss and improves efficiency of the OR-ing diode in the high-voltage output of redundant SMPS for servers, industrial computers, and telecommunication systems. The Vishay Semiconductors device comes in various packages and is optimized for 40W to 800W high-frequency SMPS applications. The Trench MOS Barrier Schottky Rectifier can be used as an alternative to synchronous rectification solutions while matching their efficiency and thermal performance.

Wyniki: 35
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Produkt
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Konfiguracja
Technologia
If – prąd przewodzenia diody
Vrrm – powtarzajace się napięcie wsteczne
Vf – Napięcie przewodzenia
Ifsm – prąd udarowy przewodzenia
Ir – Prąd wsteczny
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Seria
Opakowanie
Vishay Semiconductors Schottky Diodes & Rectifiers 20 Amp 120 Volt Single TrenchMOS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 8 000
Wielokr.: 1 000

Schottky Rectifiers Through Hole TO-220-3 Single Dual Anode Si 20 A 120 V 1.33 V 150 A 250 uA - 40 C + 150 C Tube
Vishay Semiconductors Schottky Diodes & Rectifiers 10 Amp 150 Volt Dual TrenchMOS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 8 000
Wielokr.: 1 000

Schottky Rectifiers SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) Dual Anode Common Cathode Si 10 A 150 V 1.41 V 60 A 100 uA - 55 C + 150 C Tube
Vishay Semiconductors Schottky Diodes & Rectifiers 20 Amp 120 Volt Dual TrenchMOS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 8 000
Wielokr.: 1 000

Schottky Rectifiers SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) Dual Anode Common Cathode Si 20 A 120 V 900 mV 120 A 700 uA - 40 C + 150 C Vx20120C Tube
Vishay Semiconductors Schottky Diodes & Rectifiers 20 Amp 200 Volt Dual TrenchMOS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 8 000
Wielokr.: 1 000

Schottky Rectifiers SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) Dual Anode Common Cathode Si 20 A 200 V 1.6 V 120 A 150 uA - 40 C + 150 C Tube
Vishay Semiconductors Schottky Diodes & Rectifiers 30 Amp 100 Volt Dual TrenchMOS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 8 000
Wielokr.: 1 000

Schottky Rectifiers SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) Dual Anode Common Cathode Si 30 A 100 V 800 mV 160 A 500 uA - 40 C + 150 C Vx30xx0x Tube
Vishay Semiconductors Schottky Diodes & Rectifiers 30 Amp 150 Volt Dual TrenchMOS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 8 000
Wielokr.: 1 000

Schottky Rectifiers SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) Dual Anode Common Cathode Si 30 A 150 V 1.36 V 140 A 200 uA - 55 C + 150 C Vx30xx0x Tube
Vishay Semiconductors Schottky Diodes & Rectifiers 20 Amp 120 Volt Dual TrenchMOS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1

Schottky Rectifiers Through Hole TO-220FP-3 Dual Anode Common Cathode Si 20 A 120 V 900 mV 120 A 700 uA - 40 C + 150 C Vx20120C Tube
Vishay Semiconductors Schottky Diodes & Rectifiers 20 Amp 150 Volt Single TrenchMOS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1

Schottky Rectifiers Through Hole TO-220FP-3 Single Dual Anode Si 20 A 150 V 1.43 V 160 A 250 uA - 55 C + 150 C Tube
Vishay Semiconductors Schottky Diodes & Rectifiers 30 Amp 120 Volt Single TrenchMOS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000

Schottky Rectifiers Through Hole TO-220FP-3 Single Dual Anode Si 30 A 120 V 1.1 V 300 A 500 uA - 40 C + 150 C Vx30xx0x Tube
Vishay Semiconductors Schottky Diodes & Rectifiers 20 Amp 100 Volt
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 8 000
Wielokr.: 1 000

Schottky Rectifiers Through Hole TO-262AA Single Dual Anode Si 20 A 100 V 1.07 V 150 A 350 uA - 40 C + 150 C Tube