OptiMOS™ 7 40V Automotive Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 7 40V Automotive Power MOSFETs are high-current low RDS(on) MOSFETs with optimized switching behavior. These N-channel automotive MOSFETs offer high power density, low conduction losses, and high current density. The OptiMOS™ 7 MOSFETs come in a 3mm x 3mm advanced leadless package with Cu-Clip for low package Ron and minimum stray inductance. These MOSFETs are 100% avalanche tested and RoHS compliant. The OptiMOS™ 7 MOSFETs are ideal for applications such as power distribution, window-lift, power-seat, high-redundancy EPS, and body control modules.

Wyniki: 20
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Opakowanie
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications
Karta charakterystyki
547Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-THSOG-4-1 N-Channel 1 Channel 40 V 252 A 1.04 mOhms 20 V 3 V 59 nC - 55 C + 175 C 123 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
Karta charakterystyki
21Na stanie magazynowym
5 000Oczekiwane: 04.05.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 62 A 5.41 mOhms 20 V 3 V 9 nC - 55 C + 175 C 40 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs 40 V, N-Ch, 2.34 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7
Karta charakterystyki
5 720Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 132 A 2.34 mOhms 16 V 1.8 V 29 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs 40 V, N-Ch, 2.56 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7
Karta charakterystyki
5 880Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 127 A 2.56 mOhms 16 V 1.8 V 29 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
Karta charakterystyki
5 856Na stanie magazynowym
4 000Oczekiwane: 07.05.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT PG-LHDSO-10-3 N-Channel 1 Channel 40 V 425 A 770 uOhms 20 V 3 V 112 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
Karta charakterystyki
5 213Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 199 A 1.25 mOhms 16 V 1.8 V 42 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
Karta charakterystyki
5 380Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 117 A 2.56 mOhms 16 V 1.8 V 23 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
Karta charakterystyki
10 000Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3.05 mOhms 16 V 1.8 V 18 nC - 55 C + 175 C 58 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs 40 V, N-Ch, 3.78 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7
Karta charakterystyki
780Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 84 A 3.78 mOhms 16 V 1.8 V 15 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
Karta charakterystyki
864Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 82 A 4.01 mOhms 20 V 3 V 13 nC - 55 C + 175 C 52 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
Karta charakterystyki
881Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 154 A 1.9 mOhms 16 V 1.8 V 34 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
Karta charakterystyki
702Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 97 A 3.25 mOhms 20 V 3 V 16 nC - 55 C + 175 C 58 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
Karta charakterystyki
261Na stanie magazynowym
5 000Oczekiwane: 04.05.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 65 A 5.04 mOhms 20 V 1.8 V 11 nC - 55 C + 175 C 40 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs 40 V, N-Ch, 2.46 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7
Karta charakterystyki
4 963Oczekiwane: 05.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 129 A 2.46 mOhms 20 V 3 V 25 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
Karta charakterystyki
2 500Oczekiwane: 14.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT THSOG-4 N-Channel 1 Channel 40 V 77 A 4.4 mOhms 20 V 1.8 V 15 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
Karta charakterystyki
2 500Oczekiwane: 14.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT THSOG-4 N-Channel 1 Channel 40 V 184 A 1.53 mOhms 20 V 3 V 41 nC - 55 C + 175 C 96 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
Karta charakterystyki
2 500Oczekiwane: 14.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT THSOG-4 N-Channel 1 Channel 40 V 147 A 1.95 mOhms 20 V 3 V 30 nC - 55 C + 175 C 81 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
Karta charakterystyki
2 500Oczekiwane: 14.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT THSOG-4 N-Channel 1 Channel 40 V 117 A 2.67 mOhms 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 175 C 70 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
Karta charakterystyki
2 500Oczekiwane: 14.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT THSOG-4 N-Channel 1 Channel 40 V 91 A 3.65 mOhms 20 V 3 V 16 nC - 55 C + 175 C 57 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
Karta charakterystyki
2 500Oczekiwane: 14.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT THSOG-4 N-Channel 1 Channel 40 V 79 A 4.7 mOhms 20 V 3 V 13 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape