Wyniki: 106
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Kwalifikacje
Nazwa handlowa
Opakowanie
Vishay / Siliconix MOSFETs N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 60 A 2.45 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 105 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFETs N-Chnl 40-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 800
Wielokr.: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 310 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET
Vishay / Siliconix MOSFETs 40 V 40A 150W AEC-Q101 Qualified
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 800
Wielokr.: 800
Szpula: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 50 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 130 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel
Vishay / Siliconix MOSFETs Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SLW, 4.5 mohm a. 10V, 6.5 mohm a. 4.5V
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000
Si SMD/SMT PowerPAK 1212-8 N-Channel 1 Channel 40 V 86 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 32 nC - 55 C + 175 C 70 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix MOSFETs Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SW, 7.1 mohm a. 10V, 8.3 mohm a. 4.5V
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK 1212-8 N-Channel 1 Channel 80 V 82 A 8.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 45 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix MOSFETs 40V 120A 300W AEC-Q101 Qualified
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 800
Wielokr.: 800
Szpula: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 270 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel