DXTN80x NPN Bipolar Transistors

Diodes Incorporated DXTN80x NPN Bipolar Transistors offer a small form factor, thermally efficient PowerDI® 3333-8 package, allowing higher-density end products. The devices supply a >30V, 60V, or 100V collector-emitter voltage and a >8V emitter-base voltage. The DXTN80x is ideal for high-temperature environments, with a temperature rating of +175°C. The Diodes Inc. DXTN80x NPN bipolar transistors are excellent for motors, solenoids, relays, and actuator driver controls.

Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Konfiguracja
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO
Napięcie kolektor-baza VCBO
Napięcie emiter–baza VEBO
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
Pd – strata mocy
Wzmacniacze GBP fT
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Kwalifikacje
Seria
Opakowanie
Diodes Incorporated Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
Karta charakterystyki
1 592Na stanie magazynowym
2 000Oczekiwane: 08.04.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 30 V 80 V 8 V 120 mV 2.4 W 130 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
Karta charakterystyki
3 880Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 60 V 100 V 8 V 100 mV 2.4 W 140 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
Karta charakterystyki
1 592Na stanie magazynowym
2 000Oczekiwane: 20.04.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 100 V 150 V 8 V 130 mV 2.4 W 125 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape