CoolGaN™ 650V G5 Bi-Directional Switches (BDS)

Infineon Technologies CoolGaN™ 650V G5 Bi-Directional Switches (BDS) are an innovative solution in Gallium Nitride (GaN) transistor technology. These switches enable efficient voltage blocking in both directions, making these switches a versatile option for a wide range of applications. The CoolGaN™ BDS monolithically integrates a substrate voltage control circuit through proprietary technology. These Infineon switches are designed to enable the highest power densities for power‑demanding industrial applications. Typical applications include a cycloconverter in a solar μ‑inverter, Vienna-type rectifier in industrial/server SMPS and UPS, T‑type PFC, and an inverter in motor drives.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Nazwa handlowa
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Bi -directional switch, enhancement -mode 2 332Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 800

CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES 1 066Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 800
CoolGaN