Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

TSM600NA25CIT C0G

Name: Taiwan Semiconductor TSM600NA25CIT C0G
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSM600NA25CITC0G
Price: 16.77 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

821-TSM600NA25CITC0G

Nr prod.:

TSM600NA25CIT C0G

Produc.:

Taiwan Semiconductor

Opis:

MOSFETs 250V, 22A, Single, N-Channel Low Voltage MOSFETs

Cykl życia:

Nowości w Mouser

Karta charakterystyki:

TSM600NA25CIT C0G Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Taiwan Semiconductor TSM600NA25CIT C0G

Na stanie magazynowym: 3 999

Stany magazynowe:: 3 999 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 20 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	16,77 zł	16,77 zł
	11,18 zł	111,80 zł
	8,00 zł	800,00 zł
	7,65 zł	3 825,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Taiwan Semiconductor
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	ITO-220TL-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	250 V
Id – Ciągły prąd drenu:	22 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	60 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 30 V, 30 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4.2 V
Qg – ładunek bramki:	71 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	78 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Tube
Marka:	Taiwan Semiconductor
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	25 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	16 ns
Wielkość opakowania producenta:	2000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	78 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	16 ns
Nazwy umowne nr części:	TSM600NA25CIT
Jednostka masy:	1,584 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

TSM600NA25CIT N-Channel Power MOSFET

Taiwan Semiconductor TSM600NA25CIT N-Channel Power MOSFET is a 250V low-voltage and single configuration MOSFET built with Trench technology. This MOSFET features a 22A continuous drain current, 60mΩ drain-source resistance, 78W power dissipation, and 71nC gate charge. The TSM600NA25CIT MOSFET offers 22pF reverse transfer capacitance and is Pb-free, halogen-free, and RoHS compliant. This power MOSFET is ideally used in Uninterruptible Power Supply (UPS), AC-DC power supply, and lighting applications.