QPA1009

Qorvo
772-QPA1009
QPA1009

Produc.:

Opis:
RF Amplifier 10.7-12.7 GHz 17W PA PHS

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Produkt ten może wymagać dodatkowej dokumentacji przy eksporcie ze Stanów Zjednoczonych.

Dostępność

Stany magazynowe:
0

Nadal możesz kupić ten produkt i dodać do zaległego zamówienia.

Dostępna ilość z otwartych zamówień:
20
Oczekiwane: 10.06.2026
Średni czas produkcji:
16
tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
1 811,98 zł 1 811,98 zł
1 566,96 zł 15 669,60 zł
1 505,99 zł 30 119,80 zł
260 Oferta

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Qorvo
Kategoria produktów: Wzmacniacz RF
Ograniczenia dotyczące wysyłki
 Produkt ten może wymagać dodatkowej dokumentacji przy eksporcie ze Stanów Zjednoczonych.
RoHS:  
10.7 GHz to 12.7 GHz
16 dB
SMD/SMT
GaN
- 40 C
+ 85 C
QPA1009
Tray
Marka: Qorvo
Tłumienność odbicia wejścia: 18 dB
Wrażliwość na wilgoć: Yes
Liczba kanałów: 1 Channel
Pd – strata mocy: 59.5 W
Rodzaj produktu: RF Amplifier
Wielkość opakowania producenta: 20
Podkategoria: Wireless & RF Integrated Circuits
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8542330000
CAHTS:
8542330000
USHTS:
8542330001
MXHTS:
8542330299
ECCN:
3A001.b.2.b.2

QPA1009 17W Wideband GaN on SiC Power Amplifier

Qorvo QPA1009 17W Wideband GaN on SiC Power Amplifier operates from 10.7GHz to 12.7GHz, delivering 42dBm of saturated output power and 16dB of large signal gain while achieving 33% power-added efficiency. The QPA1009 RF ports have DC blocking capacitors and are matched to 50Ω. The device's RF input port is DC coupled to ground for optimum ESD performance. The QPA1009 is fabricated on a 0.15µm QGaN15 GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) process and is 100% DC and RF tested to ensure compliance with electrical specifications.