VEMT Silicon NPN Phototransistors

Vishay Semiconductors VEMT Silicon NPN Phototransistors are silicon NPN epitaxial planar phototransistors in a miniature surface-mount package (SMD) with a dome lens. The VEMT2003X01, VEMT2023X01, and VEMT2023SLX01 modules include a daylight filter that is matched with 830nm to 950nm IR emitters. The VEMT2503X01, VEMT2523X01, and VEMT2523SLX01 variants are sensitive to visible and near-infrared radiation. Applications for Vishay Semiconductors VEMT Silicon NPN Phototransistors include automotive, miniature switches, light sensors, and more.

Wyniki: 10
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Produkt Opakowanie/obudowa Styl mocowania Długość fali szczytowej Maksymalny prąd przewodzenia kolektora Max. napięcie kolektor-emiter VCEO Napięcie przebicia kolektor-emiter Napięcie nasycenia kolektor-emiter Prąd ciemny Pd – strata mocy Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Seria Kwalifikacje
Vishay Semiconductors Phototransistors Sideview 470-1090nm +/-35 deg 33 174Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Phototransistors 50 mA 20 V 20 V 400 mV 1 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100
Vishay Semiconductors Phototransistors Reverse gullwing 790-970nm +/-35 deg 6 830Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 6 000

Phototransistors 50 mA 20 V 20 V 400 mV 1 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100
Vishay Semiconductors Phototransistors Side view 790-970nm +/-35 deg 7 132Na stanie magazynowym
15 000Oczekiwane: 08.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Phototransistors 50 mA 20 V 20 V 400 mV 1 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100
Vishay Semiconductors Phototransistors Reverse gullwing 470-1090nm +/-35 deg 7 104Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 6 000

Phototransistors 50 mA 20 V 20 V 400 mV 1 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100


Vishay Semiconductors Phototransistors Reverse gullwing 790-970nm +/-15 deg 12 650Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 6 000

Phototransistors 860 nm 20 V 20 V 400 mV 100 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100
Vishay Semiconductors Phototransistors Gullwing 790-970nm +/-35 deg 8 467Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 6 000

Phototransistors 50 mA 20 V 20 V 400 mV 1 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100
Vishay Semiconductors Phototransistors Reverse gullwing 470-1090nm +/-15 deg 8 640Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 6 000

Phototransistors Reverse Gull Wing 850 nm 50 mA 20 V 20 V 400 mV 1 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100
Vishay Semiconductors Phototransistors Gullwing 470-1090nm +/-35 deg 2 213Na stanie magazynowym
6 000Oczekiwane: 24.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 6 000

Phototransistors 50 mA 20 V 20 V 400 mV 1 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100
Vishay Semiconductors Phototransistors Gullwing 790-970nm +/-15 deg 535Na stanie magazynowym
12 000Oczekiwane: 27.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 6 000

Phototransistors SMD/SMT 860 nm 50 mA 20 V 20 V 400 mV 100 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100
Vishay Semiconductors Phototransistors Gullwing 470-1090nm +/-15 deg
11 840Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 6 000

Phototransistors Gull Wing 850 nm 50 mA 20 V 20 V 400 mV 1 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100