X2-Class IXYS Układy MOSFET

Wyniki: 71
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Opakowanie
IXYS MOSFETs 650V/8A TO-263
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 27 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 11 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 650V/18A TO-263
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 27 tygodni
Min.: 300
Wielokr.: 50

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 29 nC - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 650V/80A Ultra Junction X2-Class
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 27 tygodni
Min.: 300
Wielokr.: 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 650 V 80 A 38 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 140 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO247 700V 12A N-CH X2CLASS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 41 tygodni
Min.: 300
Wielokr.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 12 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 650V/12A TO-263
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 27 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 310 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 18.5 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 650V/60A TO-247-4L
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 27 tygodni
Min.: 300
Wielokr.: 30

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 52 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 108 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO247 650V 26A N-CH X2CLASS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 27 tygodni
Min.: 300
Wielokr.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 26 A 130 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 45 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs TO263 650V 34A N-CH X2CLASS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 27 tygodni
Min.: 300
Wielokr.: 50

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 54 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs PLUS247 650V 102A N-CH X2CLASS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 41 tygodni
Min.: 300
Wielokr.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 102 A 30 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 152 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs MOSFET 650V/120A Ultra Junction X2
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 27 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 650 V 120 A 24 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 225 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 41 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO247 650V 20A N-CH X3CLASS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 41 tygodni
Min.: 300
Wielokr.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 185 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO268 650V 34A N-CH X4CLASS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 27 tygodni
Min.: 300
Wielokr.: 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 54 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs TO263 650V 20A N-CH X3CLASS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 41 tygodni
Min.: 300
Wielokr.: 50

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 185 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO220 650V 20A N-CH X3CLASS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 41 tygodni
Min.: 300
Wielokr.: 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 185 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs ISOPLUS 650V 54A N-CH X2CLASS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 29 tygodni
Min.: 300
Wielokr.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 33 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 152 nC - 55 C + 150 C 330 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO220 700V 12A N-CH X2CLASS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 41 tygodni
Min.: 300
Wielokr.: 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 12 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO220 700V 12A N-CH X2CLASS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 41 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 12 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS IXFP36N55X2
IXYS MOSFETs TO220 550V 36A N-CH X2CLASS Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 27 tygodni
Min.: 300
Wielokr.: 50

Si Tube
IXYS IXFP14N55X2
IXYS MOSFETs TO220 550V 14A N-CH X2CLASS Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 27 tygodni
Min.: 300
Wielokr.: 50

Si Tube
IXYS IXTA30N65X2
IXYS MOSFETs TO263 650V 30A N-CH X2CLASS Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 41 tygodni
Min.: 300
Wielokr.: 50

Si Tube