X2-Class IXYS Układy MOSFET

Wyniki: 71
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Opakowanie

IXYS MOSFETs MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2
Karta charakterystyki
185Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO252 650V 4A N-CH X2CLASS
Karta charakterystyki
238Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 8.3 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET
Karta charakterystyki
60Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2
Karta charakterystyki
41Na stanie magazynowym
250Oczekiwane: 23.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO220 650V 24A N-CH X2CLASS
Karta charakterystyki
42Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 145 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO220 700V 4A N-CH X4CLASS
Karta charakterystyki
95Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 4 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 30 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO220 650V 34A N-CH X2CLASS
Karta charakterystyki
208Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 54 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO252 650V 2A N-CH X2CLASS
Karta charakterystyki
140Dostępne z magazynu fabrycznego
Więcej dostępnych informacji
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 650 V 2 A 2.3 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 4.3 nC - 55 C + 150 C 55 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO247 650V 12A N-CH X2CLASS
Karta charakterystyki
1 470Dostępne z magazynu fabrycznego
Więcej dostępnych informacji
Min.: 300
Wielokr.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 17.7 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO220 650V 20A N-CH X2CLASS
Karta charakterystyki
950Dostępne z magazynu fabrycznego
Więcej dostępnych informacji
Min.: 300
Wielokr.: 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 185 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 650V/60A TO-268HV
Karta charakterystyki
780Dostępne z magazynu fabrycznego
Więcej dostępnych informacji
Min.: 300
Wielokr.: 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 52 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 108 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO220 650V 24A N-CH X2CLASS
Karta charakterystyki
850Dostępne z magazynu fabrycznego
Więcej dostępnych informacji
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 145 mOhms - 30 V, 30 V 3 V - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO220 650V 12A N-CH X2CLASS
Karta charakterystyki
1 550Dostępne z magazynu fabrycznego
Więcej dostępnych informacji
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 40 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 650V/12A TO-247
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 310 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 18.5 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs DiscMSFTAuto-Ultra Junc X2Class TO-247AD
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Tube
IXYS MOSFETs DiscMSFTAuto-Ultra Junc X2Class TO-247AD
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Tube
IXYS MOSFETs DiscMSFTAuto-Ultra Junc X2Class TO-247AD
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 300
Wielokr.: 30

Si Tube
IXYS MOSFETs TO263 650V 24A N-CH X2CLASS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 27 tygodni
Min.: 300
Wielokr.: 50

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 145 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs IXTY4N65X2 TRL
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 41 tygodni
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 650 V 4 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 3 V - 55 C + 150 C 80 W Reel
IXYS MOSFETs 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 41 tygodni
Min.: 350
Wielokr.: 70

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO3P 650V 34A N-CH X2CLASS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 27 tygodni
Min.: 300
Wielokr.: 30

Si Through Hole TO-3PFP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 54 nC - 55 C + 150 C 43 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO3P 650V 48A N-CH X2CLASS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 27 tygodni
Min.: 300
Wielokr.: 30

Si Through Hole TO-3PFP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 48 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 76 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 650V/18A TO-263
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 27 tygodni
Min.: 300
Wielokr.: 50

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 29 nC - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 650V/80A Ultra Junction X2-Class
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 27 tygodni
Min.: 300
Wielokr.: 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 650 V 80 A 38 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 140 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO251 700V 4A N-CH X2CLASS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 41 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 700 V 2 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 11.8 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement HiPerFET Tube