STMicroelectronics MDmesh Układy MOSFET

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Opakowanie
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 74 mOhm typ., 33 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 18 tygodni
Min.: 600
Wielokr.: 600

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 91 mOhms - 25 V, 25 V 4.75 V 52.5 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 18 tygodni
Min.: 600
Wielokr.: 600

Si MDmesh Tube