STPSC 650V Schottky Silicon-Carbide Diodes

STMicroelectronics STPSC 650V Schottky Silicon-Carbide Diodes are ultra-high-performance power Schottky diodes. The wide bandgap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature. These STMicroelectronics devices are especially suited for PFC applications, boosting performance in hard switching conditions. High forward surge capability ensures good robustness during transient phases.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Konfiguracja
If – prąd przewodzenia diody
Vrrm – powtarzajace się napięcie wsteczne
Vf – Napięcie przewodzenia
Ifsm – prąd udarowy przewodzenia
Ir – Prąd wsteczny
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Kwalifikacje
Opakowanie
STMicroelectronics SiC Schottky Diodes 650 V, 4A power Schottky High Surge silicon carbide diode
Karta charakterystyki
2 480Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 5 000

SMD/SMT SMBF-2 Single 10 A 650 V 1.3 V 30 A 4 uA - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics SiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 4A power Schottky High Surge silicon carbide diode
Karta charakterystyki
5 000Oczekiwane: 12.03.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 5 000

SMD/SMT SMBF-2 Single 10 A 650 V 1.3 V 30 A 4 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel