Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

XSM6K519NW,LXHF

Name: Toshiba XSM6K519NW,LXHF
Brand: Toshiba
SKU: 757-XSM6K519NWLXHF
Price: 3.66 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

757-XSM6K519NWLXHF

Nr prod.:

XSM6K519NW,LXHF

Produc.:

Toshiba

Opis:

MOSFETs N-ch MOSFET, 40 V, 8.0 A, 0.0118 ohm at 10V, DFN2020B(WF)

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

XSM6K519NW,LXHF Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Toshiba XSM6K519NW,LXHF

Na stanie magazynowym: 2 100

Stany magazynowe:: 2 100 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 16 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	3,66 zł	3,66 zł
	2,28 zł	22,80 zł
	1,49 zł	149,00 zł
	1,15 zł	575,00 zł
	1,07 zł	1 070,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	0,903 zł	2 709,00 zł
	0,839 zł	5 034,00 zł
	0,834 zł	7 506,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Toshiba
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	DFN-6
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	40 V
Id – Ciągły prąd drenu:	8 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	17.8 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.5 V
Qg – ładunek bramki:	6.5 nC
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	4.3 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	Toshiba
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	JP
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Seria:	U-MOSVIII-H
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	50 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	41 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

XSM6K519NW,LXHF Karta charakterystyki

Models

Product Catalogs

TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Automotive U-MOSVIII-H Power MOSFETs

Toshiba Automotive U-MOSVIII-H Power MOSFETs are 100V N-channel power MOSFETs ideal for automotive applications. These devices feature low on-resistance with proprietary technology using a Cu connector. The Toshiba U-MOSVIII-H Power MOSFETs have a narrowed gate threshold voltage range of 2.5V to 3.5V, which reduces switching time tolerance.