Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

XSM6K336NW,LXHF

Name: Toshiba XSM6K336NW,LXHF
Brand: Toshiba
SKU: 757-XSM6K336NWLXHF
Price: 2.77 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

757-XSM6K336NWLXHF

Nr prod.:

XSM6K336NW,LXHF

Produc.:

Toshiba

Opis:

MOSFETs N-ch MOSFET, 30 V, 3.0 A, 0.095 ohm at 10V, DFN2020B(WF)

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

XSM6K336NW,LXHF Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Toshiba XSM6K336NW,LXHF

Na stanie magazynowym: 2 100

Stany magazynowe:: 2 100 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 16 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	2,77 zł	2,77 zł
	1,70 zł	17,00 zł
	1,12 zł	112,00 zł
	0,882 zł	441,00 zł
	0,774 zł	774,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	0,654 zł	1 962,00 zł
	0,602 zł	3 612,00 zł
	0,568 zł	5 112,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Toshiba
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	DFN-6
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	30 V
Id – Ciągły prąd drenu:	3 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	95 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.5 V
Qg – ładunek bramki:	1.7 nC
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	3.3 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	Toshiba
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	JP
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Seria:	U-MOSVIII-H
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	8 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	7 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

XSM6K336NW,LXHF Karta charakterystyki

Models

Product Catalogs

TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Automotive U-MOSVIII-H Power MOSFETs

Toshiba Automotive U-MOSVIII-H Power MOSFETs are 100V N-channel power MOSFETs ideal for automotive applications. These devices feature low on-resistance with proprietary technology using a Cu connector. The Toshiba U-MOSVIII-H Power MOSFETs have a narrowed gate threshold voltage range of 2.5V to 3.5V, which reduces switching time tolerance.