Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

XPW4R10ANB,L1XHQ

Name: Toshiba XPW4R10ANB,L1XHQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-XPW4R10ANBL1XHQ
Price: 11.27 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

757-XPW4R10ANBL1XHQ

Nr prod.:

XPW4R10ANB,L1XHQ

Produc.:

Toshiba

Opis:

MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR DSOP Advance(WF)M PD=170W F=1MHZ

Karta charakterystyki:

XPW4R10ANB,L1XHQ Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Toshiba XPW4R10ANB,L1XHQ

Na stanie magazynowym: 4 754

Stany magazynowe:: 4 754 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 25 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 5000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	11,27 zł	11,27 zł
	7,31 zł	73,10 zł
	5,25 zł	525,00 zł
	4,39 zł	2 195,00 zł
	3,96 zł	3 960,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 5000)
	3,96 zł	19 800,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Toshiba
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	DSOP-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	100 V
Id – Ciągły prąd drenu:	70 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	4.1 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	3.5 V
Qg – ładunek bramki:	75 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	170 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Toshiba
Kraj montażu:	JP
Kraj wytworzenia:	JP
Kraj pochodzenia:	JP
Czas zanikania:	22 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	21 ns
Seria:	U-MOSVIII-H
Wielkość opakowania producenta:	5000
Podkategoria:	Transistors
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	89 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	52 ns
Jednostka masy:	104 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

XPW4R10ANB,L1XHQ Karta charakterystyki (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Selection Guide 2024 - MOSFETs

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Automotive U-MOSVIII-H Power MOSFETs

Toshiba Automotive U-MOSVIII-H Power MOSFETs are 100V N-channel power MOSFETs ideal for automotive applications. These devices feature low on-resistance with proprietary technology using a Cu connector. The Toshiba U-MOSVIII-H Power MOSFETs have a narrowed gate threshold voltage range of 2.5V to 3.5V, which reduces switching time tolerance.