Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

WNSC5D16650CJ6Q

Name: WeEn Semiconductors WNSC5D16650CJ6Q
Brand: WeEn Semiconductors
SKU: 771-WNSC5D16650CJ6Q
Price: 4.11 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

771-WNSC5D16650CJ6Q

Nr prod.:

WNSC5D16650CJ6Q

Produc.:

WeEn Semiconductors

Opis:

SiC Schottky Diodes WNSC5D16650CJ/SOT1293/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

Karta charakterystyki:

WNSC5D16650CJ6Q Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o WeEn Semiconductors WNSC5D16650CJ6Q

Dostępność

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 16 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.

Wpisz ilość:

Minimum: 960 Wielokrotności: 480

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	4,11 zł	3 945,60 zł
	3,92 zł	11 289,60 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	WeEn Semiconductors
Kategoria produktów:	Diody SCHOTTKY SIC
RoHS:
Opakowanie/obudowa:	TO3PF-3
Konfiguracja:	Common Cathode
If – prąd przewodzenia diody:	16 A
Vrrm – powtarzajace się napięcie wsteczne:	650 V
Vf – Napięcie przewodzenia:	1.45 V
Ifsm – prąd udarowy przewodzenia:	40 A
Ir – Prąd wsteczny:	40 uA
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Opakowanie:	Tube
Marka:	WeEn Semiconductors
Rodzaj produktu:	SiC Schottky Diodes
Wielkość opakowania producenta:	480
Podkategoria:	Diodes & Rectifiers
Vr – napięcie wsteczne:	650 V
Nazwy umowne nr części:	934072973127

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

WNSC5D16650CJ6Q Karta charakterystyki (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

WNSC2D16650CJ & WNSC2D20650CJ SiC Schottky Diodes

WeEn Semiconductors WNSC2D16650CJ and WNSC2D20650CJ Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes are 650V devices optimized for high-frequency switched-mode power supplies. SiC devices provide many advantages over silicon, including no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. These features result in higher efficiency, faster-operating frequency, higher power density, lower EMI, and reduced system size and cost. These diodes feature extremely fast reverse recovery time, reduced losses in associated MOSFET, and low cooling requirements.