Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

VS-SF50LA120

Name: Vishay VS-SF50LA120
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-VS-SF50LA120
Price: 204.85 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

78-VS-SF50LA120

Nr prod.:

VS-SF50LA120

Produc.:

Vishay Semiconductors

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Stany magazynowe:: 160 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 53 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	204,85 zł	204,85 zł
	170,93 zł	1 709,30 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Vishay
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET
RoHS:
Technologia:	SiC
Styl mocowania:	Screw Mount
Opakowanie/obudowa:	SOT-227-4
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	1.2 kV
Id – Ciągły prąd drenu:	38 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	43 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 4 V, 15 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.4 V
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	136 W
Marka:	Vishay Semiconductors
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	PH
Czas zanikania:	9.28 ns
Produkt:	Power Module
Rodzaj produktu:	MOSFET Modules
Czas narastania:	29.44 ns
Wielkość opakowania producenta:	160
Podkategoria:	Discrete and Power Modules
Rodzaj:	Silicon Carbide Power MOSFET
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	27.52 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	13.44 ns