Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

VS-SF200SA120

Name: Vishay VS-SF200SA120
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-VS-SF200SA120
Price: 362.79 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

78-VS-SF200SA120

Nr prod.:

VS-SF200SA120

Produc.:

Vishay Semiconductors

Opis:

MOSFET Modules MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

VS-SF200SA120 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Vishay Semiconductors VS-SF200SA120

Na stanie magazynowym: 148

Stany magazynowe:: 148 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 38 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	362,79 zł	362,79 zł
	341,46 zł	3 414,60 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Vishay
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET
RoHS:
Technologia:	SiC
Styl mocowania:	Screw Mount
Opakowanie/obudowa:	SOT-227-4
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	1.2 kV
Id – Ciągły prąd drenu:	127 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	12.1 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 8 V, 15 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.6 V
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	750 W
Marka:	Vishay Semiconductors
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	PH
Czas zanikania:	14.08 ns
Produkt:	Power Module
Rodzaj produktu:	MOSFET Modules
Czas narastania:	49.6 ns
Wielkość opakowania producenta:	160
Podkategoria:	Discrete and Power Modules
Rodzaj:	Single Switch Silicon Carbide Power MOSFET
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	52.48 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	28.32 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

VS-SF200SA120 Karta charakterystyki (PDF)

PCN

Product Change Notification 2025-10-3 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

VS-VF Single-Switch Silicon Carbide Power MOSFETs

Vishay Semiconductor VS-VF Single-Switch Silicon Carbide Power MOSFETs are high-performance silicon carbide (SiC) MOSFETs. The high blocking voltage, low on-resistance, high-speed switching, and low capacitance make these Vishay Semiconductor MOSFETs ideal for high-frequency switching applications, including solar inverters and EV chargers.