Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

VS-SF100SA120

Name: Vishay VS-SF100SA120
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-VS-SF100SA120
Price: 230.35 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

78-VS-SF100SA120

Nr prod.:

VS-SF100SA120

Produc.:

Vishay Semiconductors

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Stany magazynowe:: 314 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 38 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	230,35 zł	230,35 zł
	197,24 zł	1 972,40 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Vishay
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET
RoHS:
Technologia:	SiC
Styl mocowania:	Screw Mount
Opakowanie/obudowa:	SOT-227-4
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	1.2 kV
Id – Ciągły prąd drenu:	98 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	32.6 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 8 V, 19 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	1.7 V
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	468 W
Marka:	Vishay Semiconductors
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	PH
Czas zanikania:	10.56 ns
Wysokość:	12.3 mm
Długość:	38.3 mm
Produkt:	Power Module
Rodzaj produktu:	MOSFET Modules
Czas narastania:	44.32 ns
Wielkość opakowania producenta:	160
Podkategoria:	Discrete and Power Modules
Rodzaj:	Single Switch Silicon Carbide Power MOSFET
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	36 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	18.88 ns
Szerokość:	25.7 mm