Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

VS-4C12ET07S2LHM3

Name: Vishay VS-4C12ET07S2LHM3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-VS-4C12ET07S2LHM3
Price: 19.39 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

78-VS-4C12ET07S2LHM3

Nr prod.:

VS-4C12ET07S2LHM3

Produc.:

Vishay Semiconductors

Opis:

SiC Schottky Diodes SiCG4D2PAK2L

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

VS-4C12ET07S2LHM3 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Vishay Semiconductors VS-4C12ET07S2LHM3

Dostępność

Stany magazynowe:: 0

Nadal możesz kupić ten produkt i dodać do zaległego zamówienia.

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 800

Oczekiwane: 14.08.2026
Średni czas produkcji:: 12

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	19,39 zł	19,39 zł
	12,64 zł	126,40 zł
	9,89 zł	989,00 zł
	8,30 zł	4 150,00 zł
	7,65 zł	6 120,00 zł
	7,18 zł	17 232,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Vishay
Kategoria produktów:	Diody SCHOTTKY SIC
RoHS:
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	TO-263AB-2
Konfiguracja:	Single
If – prąd przewodzenia diody:	12 A
Vrrm – powtarzajace się napięcie wsteczne:	650 V
Vf – Napięcie przewodzenia:	1.3 V
Ifsm – prąd udarowy przewodzenia:	72 A
Ir – Prąd wsteczny:	84 uA
Minimalna temperatura robocza:	-55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Seria:	VS-4C12ET07S2LHM3
Marka:	Vishay Semiconductors
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	HK
Pd – strata mocy:	91 W
Rodzaj produktu:	SiC Schottky Diodes
Wielkość opakowania producenta:	800
Podkategoria:	Diodes & Rectifiers
Vr – napięcie wsteczne:	650 V

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

VS-4C12ET07S2LHM3 Karta charakterystyki (PDF)

Power Silicon Carbide Schottky Diodes

Vishay Semiconductors Power Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes are advanced, high‑performance rectifiers designed to deliver exceptional efficiency, ruggedness, and reliability in demanding power‑electronics applications. Built on wide-band-gap SiC technology, these Vishay diodes offer virtually zero reverse‑recovery charge, extremely fast switching capability, and temperature‑invariant performance, making the devices ideal for next‑generation high‑frequency power conversion systems.