Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

UJ3N120065K3S

Name: onsemi UJ3N120065K3S
Brand: onsemi
SKU: 431-UJ3N120065K3S
Price: 78.05 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

431-UJ3N120065K3S

Nr prod.:

UJ3N120065K3S

Produc.:

onsemi

Opis:

JFETs 1200V/65MOSICJFETG3TO

Karta charakterystyki:

UJ3N120065K3S Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi UJ3N120065K3S

Na stanie magazynowym: 538

Stany magazynowe:: 538 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 31 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	78,05 zł	78,05 zł
	51,13 zł	511,30 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Tranzystory JFET
RoHS:
Technologia:	SiC
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-247-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Konfiguracja:	Single
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	1.2 kV
Vgs – Napięcie przebicia bramka–źródło:	- 20 V to 3 V
Prąd dren–źródło przy Vgs=0:	5 uA
Id – Ciągły prąd drenu:	34 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	90 mOhms
Pd – strata mocy:	254 W
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Seria:	UJ3N
Kwalifikacje:	AEC-Q101
Opakowanie:	Tube
Marka:	onsemi
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	PH
Rodzaj produktu:	JFETs
Wielkość opakowania producenta:	600
Podkategoria:	Transistors
Nazwa handlowa:	SiC JFET

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

UJ3N120065K3S Karta charakterystyki

Models

UJ3N120065K3S SPICE Model (Tekst)

PCN

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

UJ3N Normally-On JFET Transistors

onsemi UJ3N JFET Transistors are high-performance, SiC Normally-On Junction Gate Field-Effect Transistors with options ranging from 650V to 1700V. This series exhibits ultra-low on resistance (R_DS(ON)), as low as 25mΩ, and low gate charge (QG), allowing for low conduction and reduced switching loss. The device's normally-on characteristics with low R_DS(ON) at VGS = 0V are also ideal for current protection circuits without the need for active control. The UJ3N JFET transistors are also commonly used in series connection with a Si-MOSFET as robust "Supercascodes," giving all of the advantages of wide band-gap technology with very high operating voltages and easy gate drive.