UF3C065030B3

onsemi
431-UF3C065030B3
UF3C065030B3

Produc.:

Opis:
SiC MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO263

Cykl życia:
NRND:
Niezalecane dla nowych projektów.
Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o onsemi UF3C065030B3

Na stanie magazynowym: 460

Stany magazynowe:
460 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
22 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
87,33 zł 87,33 zł
63,21 zł 632,10 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 800)
59,04 zł 47 232,00 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
onsemi
Kategoria produktów: Moduły MOSFET SIC
RoHS:  
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
650 V
65 A
27 mOhms
- 25 V, + 25 V
4 V
51 nC
- 25 C
+ 175 C
242 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
Marka: onsemi
Konfiguracja: Single
Czas zanikania: 15 ns
Opakowanie: Reel
Opakowanie: Cut Tape
Rodzaj produktu: SiC MOSFETS
Czas narastania: 16 ns
Seria: UF3C
Wielkość opakowania producenta: 800
Podkategoria: Transistors
Technologia: SiC
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 57 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 32 ns
Jednostka masy: 3 g
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Karta charakterystyki

Models

PCN

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

UF3C SiC FETs

onsemi UF3C High-Performance SiC FETs are cascode Silicon Carbide (SiC) products that co-package high-performance G3 SiC JFETs with a cascode-optimized Si MOSFET to produce a standard gate drive SiC device. This series exhibits ultra-low gate charge and is excellent for switching inductive loads and applications requiring a standard gate drive. The onsemi UF3C SiC FETs are available in 650V, 1200V, and 1700V versions and are offered in D2PAK-3, D2PAK-7, D2PAK-7L, TO-247-3L, TO-247-4L, and TO-220-3L packages.

UF3C SiC FETs in D2-PAK Package

onsemi UF3C SiC FETs in D2-PAK-3L and D2-PAK-7L surface-mount packages are based on a unique cascode circuit configuration and feature excellent reverse recovery. In the cascode circuit configuration, a normally-on SiC JFET is co-packaged with a Si MOSFET to produce a normally-off SiC FET device. These onsemi SiC FETs offer low body diode, low gate charge, and a 4.8V threshold voltage that allows 0V to 15V drive. These D2-PAK SiC FET devices are ESD protected and provide package creepage and clearance distance of >6.1mm. The standard gate-drive characteristics of the FETs are drop-in replacements for Si IGBTs, Si FETs, SiC MOSFETs, or Si superjunction. They are available in 1200V and 650V drain-source breakdown voltage variants and are ideal for use in any controlled environment such as telecom and server power, industrial power supplies, motor drives, and induction heating.

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.