Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

TSM6502CR RLG

Name: Taiwan Semiconductor TSM6502CR RLG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSM6502CRRLG
Price: 5.81 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

821-TSM6502CRRLG

Nr prod.:

TSM6502CR RLG

Produc.:

Taiwan Semiconductor

Opis:

MOSFETs 60V, 24A, -60V, -18A, Complementary N & P-Channel Power MOSFET

Karta charakterystyki:

TSM6502CR RLG Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Taiwan Semiconductor TSM6502CR RLG

Na stanie magazynowym: 5 091

Stany magazynowe:: 5 091 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 16 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	5,81 zł	5,81 zł
	3,66 zł	36,60 zł
	2,44 zł	244,00 zł
	1,93 zł	965,00 zł
	1,75 zł	1 750,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)
	1,57 zł	3 925,00 zł
	1,45 zł	7 250,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Taiwan Semiconductor
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	PDFN-56-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel, P-Channel
Liczba kanałów:	2 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	60 V
Id – Ciągły prąd drenu:	5.4 A, 4 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	28 mOhms, 73 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	1.2 V
Qg – ładunek bramki:	20.8 nC, 9.5 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	40 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	Taiwan Semiconductor
Konfiguracja:	Dual
Czas zanikania:	18 ns, 44 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	25 ns, 28 ns
Wielkość opakowania producenta:	2500
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	18 ns, 44 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	7.4 ns, 4 ns
Nazwy umowne nr części:	TSM6502CR
Jednostka masy:	372,608 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

TSM6502CR RLG Karta charakterystyki

Models

RoHS Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

TSM N- & P-Channel MOSFETs

Taiwan Semiconductor TSM N- and P-Channel MOSFETs are RoHS compliant with low gate charges for fast power switching. These MOSFETs are halogen-free and 100% UIS- and R_gtested. The TSM N- and P-channel MOSFETs operate at -55°C to 150°C junction temperature range. These MOSFETs are ideally used in load switch power management, portable devices, DC-DC converters, and power routing.