Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

TSM2537CQ RFG

Name: Taiwan Semiconductor TSM2537CQ RFG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSM2537CQRFG
Price: 3.44 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

821-TSM2537CQRFG

Nr prod.:

TSM2537CQ RFG

Produc.:

Taiwan Semiconductor

Opis:

MOSFETs 20V, 13A, -20V, -9.5A, Complementary N & P-Channel Power MOSFET

Karta charakterystyki:

TSM2537CQ RFG Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Taiwan Semiconductor TSM2537CQ RFG

Na stanie magazynowym: 6 209

Stany magazynowe:: 6 209

Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 12 000

Oczekiwane: 13.03.2026
Średni czas produkcji:: 20

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	3,44 zł	3,44 zł
	2,13 zł	21,30 zł
	1,39 zł	139,00 zł
	1,07 zł	535,00 zł
	0,963 zł	963,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	0,83 zł	2 490,00 zł
	0,761 zł	4 566,00 zł
	0,692 zł	6 228,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Taiwan Semiconductor
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	TDFN22-6
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel, P-Channel
Liczba kanałów:	2 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	20 V
Id – Ciągły prąd drenu:	11.6 A, 9 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	17 mOhms, 48 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 12 V, 12 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	500 mV, 450 mV
Qg – ładunek bramki:	9.1 nC, 9.8 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	6.25 W, 6.25 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	Taiwan Semiconductor
Konfiguracja:	Dual
Czas zanikania:	30 ns, 68 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	28 S, 15 S
Wrażliwość na wilgoć:	Yes
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	41 ns, 34 ns
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	N- and P-Channel Power MOSFET
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	25 ns, 69 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	8 ns, 10 ns
Nazwy umowne nr części:	TSM2537CQ
Jednostka masy:	94,742 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

TSM2537CQ RFG Karta charakterystyki

Models

PCN

Product Change Notification (PDF)

RoHS Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

TSM N- & P-Channel MOSFETs

Taiwan Semiconductor TSM N- and P-Channel MOSFETs are RoHS compliant with low gate charges for fast power switching. These MOSFETs are halogen-free and 100% UIS- and R_gtested. The TSM N- and P-channel MOSFETs operate at -55°C to 150°C junction temperature range. These MOSFETs are ideally used in load switch power management, portable devices, DC-DC converters, and power routing.