Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

TJ30S06M3L,LXHQ

Name: Toshiba TJ30S06M3L,LXHQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TJ30S06M3L,LXHQ
Price: 5.85 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

757-TJ30S06M3L,LXHQ

Nr prod.:

TJ30S06M3L,LXHQ

Produc.:

Toshiba

Opis:

MOSFETs 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101

Karta charakterystyki:

TJ30S06M3L,LXHQ Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Toshiba TJ30S06M3L,LXHQ

Na stanie magazynowym: 3 702

Stany magazynowe:: 3 702 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 4 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	5,85 zł	5,85 zł
	3,92 zł	39,20 zł
	2,73 zł	273,00 zł
	2,16 zł	1 080,00 zł
	1,97 zł	1 970,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2000)
	1,76 zł	3 520,00 zł
	1,66 zł	6 640,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Toshiba
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaryzacja tranzystora:	P-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	60 V
Id – Ciągły prąd drenu:	30 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	21.8 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 10 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	3 V
Qg – ładunek bramki:	80 nC
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	68 W
Tryb kanału:	Enhancement
Kwalifikacje:	AEC-Q101
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	Toshiba
Czas zanikania:	118 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	43 ns
Seria:	UMOS VI
Wielkość opakowania producenta:	2000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 P-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	430 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	64 ns
Nazwy umowne nr części:	TJ30S06M3L,LXHQ(O
Jednostka masy:	360 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

                        
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Automotive products 
may be used as engineering samples, however; they are not intended for 
volume automotive production or reliability testing without prior 
approval by Toshiba Semiconductor and Storage. 
Please contact a Mouser Technical Sales Representative for 
further assistance.
5-0320-2

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

TJ30S06M3L,LXHQ Karta charakterystyki (PDF)

Application Notes

Models

Simulation Model

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Automotive U-MOSVI Power MOSFETs

Toshiba Automotive U-MOSVI Power MOSFETs are -40V P-channel power MOSFETs for automotive applications. These devices feature a gate drive voltage of -4.5V compared with -6V for the conventional products in the DPAK+ package. This feature allows systems to be used even when the battery voltage drops. The Toshiba Automotive U-MOSVI Power MOSFETs feature low on-resistance.

Automotive Devices

Toshiba Automotive Devices offer an extensive lineup of MOSFETs, optical isolation, transistors, and diodes, to cover various automotive applications in 12V to 48V battery systems. In addition, Toshiba offers automotive-grade motor control drivers. Toshiba automotive devices are AEC-Q100 and AEC-Q101 qualified.

Automotive AEC-Q101 Qualified Power MOSFETs

Toshiba Automotive AEC-Q101 Qualified Power MOSFETs is an extensive lineup of Power MOSFETs covering various automotive applications in 12V to 48V battery systems. Toshiba has been in the discrete automotive industry since the 1960s, starting with rectifiers and then Automotive MOSFETs in the 1990s. With performance and reliability, all of Toshiba’s automotive products go above and beyond AEC-Q101 standards.