Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

STGWA50M65DF2

Name: STMicroelectronics STGWA50M65DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA50M65DF2
Price: 19.65 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

511-STGWA50M65DF2

Nr prod.:

STGWA50M65DF2

Produc.:

STMicroelectronics

Opis:

IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT in a TO-247 long leads

Dokończ swój projekt

Karta charakterystyki:

STGWA50M65DF2 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o STMicroelectronics STGWA50M65DF2

Na stanie magazynowym: 692

Stany magazynowe:: 692 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 14 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	19,65 zł	19,65 zł
	11,22 zł	112,20 zł
	7,91 zł	791,00 zł
	7,78 zł	4 668,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	STMicroelectronics
Kategoria produktów:	Tranzystory IGBT
RoHS:
Technologia:	Si
Opakowanie/obudowa:	TO-247-3
Styl mocowania:	Through Hole
Konfiguracja:	Single
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	650 V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter :	1.65 V
Maksymalne napięcie bramka–emiter :	- 20 V, 20 V
Ciągły prąd kolektora przy 25°C:	80 A
Pd – strata mocy:	375 W
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Seria:	HB2
Opakowanie:	Tube
Marka:	STMicroelectronics
Ciągły prąd kolektora – Ic max.:	80 A
Prąd upływowy bramka–emiter:	+/- 250 uA
Rodzaj produktu:	IGBT Transistors
Wielkość opakowania producenta:	600
Podkategoria:	IGBTs
Jednostka masy:	6 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

STGWA50M65DF2 Karta charakterystyki (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

650V IH Series IGBTs

STMicroelectronics 650V IH Series IGBTs offer high efficiency for induction heating systems and soft switching applications. The STMicroelectronics IGBTs belong to the STPOWER™ family that exceeds the HB series, currently used for induction heating applications. The 650V IH series ensures increased efficiency in final applications thanks to a lower V_CE(sat) combined with very low turn-off energy. 40A and 50A devices are already available in TO-247 Long Leads packages, and 20A and 30A devices are being developed.