Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

STGF15M65DF2

Name: STMicroelectronics STGF15M65DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGF15M65DF2
Price: 7.9 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

511-STGF15M65DF2

Nr prod.:

STGF15M65DF2

Produc.:

STMicroelectronics

Opis:

IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low loss

Dokończ swój projekt

Karta charakterystyki:

STGF15M65DF2 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o STMicroelectronics STGF15M65DF2

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	STMicroelectronics
Kategoria produktów:	Tranzystory IGBT
RoHS:
Technologia:	Si
Opakowanie/obudowa:	TO-220FP-3
Styl mocowania:	Through Hole
Konfiguracja:	Single
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	650 V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter :	1.55 V
Maksymalne napięcie bramka–emiter :	- 20 V, 20 V
Ciągły prąd kolektora przy 25°C:	30 A
Pd – strata mocy:	31 W
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Seria:	STGF15M65DF2
Opakowanie:	Tube
Marka:	STMicroelectronics
Ciągły prąd kolektora – Ic max.:	30 A
Prąd upływowy bramka–emiter:	250 uA
Rodzaj produktu:	IGBT Transistors
Wielkość opakowania producenta:	2000
Podkategoria:	IGBTs
Jednostka masy:	2,300 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

STGF15M65DF2 Karta charakterystyki (PDF)

PCN

Kody zgodności

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Klasyfikacja pochodzenia

Kraj pochodzenia:: Chiny
Kraj montażu:: Niedostępne
Kraj wytworzenia:: Niedostępne

Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

WYRÓŻNIONE PRODUKTY

STMICROELECTRONICS

STGWA30IH160DF2 1600V IH2 Series IGBT

Created by implementing an advanced proprietary trench gate field-stop structure.

Dowiedz się więcej

STGSH50M120D ACEPACK SMIT IGBT with Diode

Combines two IGBTs and diodes in a half-bridge topology.

Dowiedz się więcej

STGHU30M65DF2AG Automotive-Grade IGBT

Developed using an advanced trench gate field stop structure.

Dowiedz się więcej

STGWA30M65DF2AG Automotive-Grade IGBT

Designed using an advanced proprietary trench gate field stop structure.

Dowiedz się więcej

GWA40MS120DF4AG Automotive-grade MS Series IGBT

1200V, 40A, low-loss, offers low thermal resistance, and comes in a TO-247 long leads package.

Dowiedz się więcej

Na stanie magazynowym: 3

Stany magazynowe:: 3 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 20 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	7,90 zł	7,90 zł
	3,75 zł	37,50 zł
	2,98 zł	298,00 zł
	2,54 zł	1 270,00 zł
	2,36 zł	2 360,00 zł
	2,16 zł	4 320,00 zł
	2,09 zł	8 360,00 zł
	2,03 zł	20 300,00 zł

STGF15M65DF2

Produc.: STMicroelectronics

Opis: IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low loss Dokończ swój projekt

Specyfikacja

Dokumenty (4)

Karta charakterystyki

PCN

Dokumenty dotyczące środowiska

Zgodność ze standardami produktowymi i przepisami handlu

Więcej informacji

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

Pozostali klienci kupili również

WYRÓŻNIONE PRODUKTY STMICROELECTRONICS

Na stanie magazynowym: 3

Cennik (PLN)

QuickView (Szybki podgląd)

Wystąpił nieoczekiwany błąd.

Produc.:

STMicroelectronics

Opis:

IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low loss

Dokończ swój projekt

WYRÓŻNIONE PRODUKTY

STMICROELECTRONICS