Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

STF80N240K6

Name: STMicroelectronics STF80N240K6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STF80N240K6
Price: 21.93 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

511-STF80N240K6

Nr prod.:

STF80N240K6

Produc.:

STMicroelectronics

Opis:

MOSFETs N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET

Dokończ swój projekt

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

STF80N240K6 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o STMicroelectronics STF80N240K6

Na stanie magazynowym: 23

Stany magazynowe:: 23

Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 1 000

Oczekiwane: 17.02.2026
Średni czas produkcji:: 13

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	21,93 zł	21,93 zł
	16,56 zł	165,60 zł
	13,37 zł	1 337,00 zł
	11,91 zł	5 955,00 zł
	10,19 zł	10 190,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	STMicroelectronics
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-220FP-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	800 V
Id – Ciągły prąd drenu:	16 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	220 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 30 V, 30 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	3.5 V
Qg – ładunek bramki:	25.9 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	27 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Tube
Marka:	STMicroelectronics
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	12 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	5.3 ns
Wielkość opakowania producenta:	50
Podkategoria:	Transistors
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	47.8 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	16 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

STF80N240K6 Karta charakterystyki (PDF)

PCN

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs are Zener-protected and 100% avalanche-tested. These power MOSFETs feature 800V minimum drain-source breakdown voltage, ±30V gate-source voltage, and -55°C to 150°C operating junction temperature range. The MDmesh K6 Power MOSFETs also feature 5V/ns peak diode recovery voltage slope, 100A/µs peak diode recovery current slope, and 120V/ns MOSFET dv/dt ruggedness. Typical applications include notebook and AIO, flyback converters, adapters for tablets, and LED lighting.