Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

SSVBC846BPDW1T1G

Name: onsemi SSVBC846BPDW1T1G
Brand: onsemi
SKU: 863-SSVBC846BPDW1T1G
Price: 1.37 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-SSVBC846BPDW1T1G

Nr prod.:

SSVBC846BPDW1T1G

Produc.:

onsemi

Opis:

Bipolar Transistors - BJT SS DUAL GEN XSTR

Karta charakterystyki:

SSVBC846BPDW1T1G Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi SSVBC846BPDW1T1G

Na stanie magazynowym: 9 115

Stany magazynowe:: 9 115 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 15 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	1,37 zł	1,37 zł
	0,847 zł	8,47 zł
	0,538 zł	53,80 zł
	0,396 zł	198,00 zł
	0,353 zł	353,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	0,292 zł	876,00 zł
	0,267 zł	1 602,00 zł
	0,249 zł	2 241,00 zł
	0,215 zł	5 160,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Tranzystory bipolarne - BJT
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SOT-363-6
Polaryzacja tranzystora:	NPN, PNP
Konfiguracja:	Dual
Maksymalny prąd DC kolektora:	100 mA
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	65 V
Napięcie kolektor-baza VCBO:	80 V
Napięcie emiter–baza VEBO:	6 V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter :	250 mV, 300 mV
Pd – strata mocy:	380 mW
Wzmacniacze GBP fT:	100 MHz
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Seria:	BC846BPDW1
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	onsemi
Ciągły prąd kolektora:	100 mA
Wzmocnienie kolektora/bazy DC hfe min.:	200
Wzmocnienie prądu DC hFE max.:	475
Rodzaj produktu:	BJTs - Bipolar Transistors
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Jednostka masy:	6 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

SSVBC846BPDW1T1G Karta charakterystyki

PCN

RoHS Certificate (PDF)

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

BC846BPDW1 Bipolar Transistors

onsemi BC846BPDW1 Bipolar Transistors are dual general-purpose transistors designed for low-power surface mount applications. These NPN/PNP transistors are housed in the SOT-363/SC-88 package. The BC846BPDW1 bipolar transistors are AEC-Q101 qualified, PPAP capable, and available in a PB-free package. These NPN/PNP transistors are halogen-free/BFR-free and are RoHS-compliant. The bipolar transistors are ideal for low-power surface mount applications.