Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

SSM6N951L,EFF

Name: Toshiba SSM6N951L,EFF
Brand: Toshiba
SKU: 757-SSM6N951L,EFF
Price: 5.59 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

757-SSM6N951L,EFF

Nr prod.:

SSM6N951L,EFF

Produc.:

Toshiba

Opis:

MOSFETs Small Signal MOSFET Rdson: 4.4mOhm Vgs: 4.5V

Karta charakterystyki:

SSM6N951L,EFF Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Toshiba SSM6N951L,EFF

Na stanie magazynowym: 5 948

Stany magazynowe:: 5 948 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 16 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Ilości większe niż 5948 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	5,59 zł	5,59 zł
	3,53 zł	35,30 zł
	2,38 zł	238,00 zł
	1,87 zł	935,00 zł
	1,64 zł	1 640,00 zł
	1,57 zł	3 925,00 zł
	1,41 zł	7 050,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 10000)
	1,37 zł	13 700,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Toshiba
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	2 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	12 V
Id – Ciągły prąd drenu:	8 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	5.1 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 8 V, 8 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	1.4 V
Qg – ładunek bramki:	26 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	700 mW
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	Toshiba
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Wielkość opakowania producenta:	10000
Podkategoria:	Transistors

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

SSM6N951L,EFF Karta charakterystyki (PDF)

Application Notes

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
ECCN:: EAR99

SSM6N951L/SSM10N954L Field Effect Transistors

Toshiba SSM6N951L/SSM10N954L Field Effect Transistors promote high-efficiency charging/discharging in small cell batteries. Improving a battery's reliability with low thermal impact is a key requirement for Li-ion batteries adopting fast charging. MOSFETs are generally used as switches in the charge/discharge protection circuit and are often built into a Li-ion battery pack.