SSM6N67NU,LF

Toshiba
757-SSM6N67NULF
SSM6N67NU,LF

Produc.:

Opis:
MOSFETs LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o Toshiba SSM6N67NU,LF

Na stanie magazynowym: 20 211

Stany magazynowe:
20 211
Wysylamy natychmiast
Dostępna ilość z otwartych zamówień:
45 000
Oczekiwane: 06.03.2026
72 000
Oczekiwane: 04.05.2026
Średni czas produkcji:
16
tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ †
2,26 zł 2,26 zł
1,40 zł 14,00 zł
0,899 zł 89,90 zł
0,679 zł 339,50 zł
0,602 zł 602,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
0,49 zł 1 470,00 zł
0,456 zł 2 736,00 zł
0,391 zł 3 519,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Toshiba
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
UDFN-6
N-Channel
2 Channel
30 V
4 A
39.1 mOhms
- 8 V, 12 V
400 mV
3.2 nC
- 55 C
+ 150 C
1 W
Enhancement
AEC-Q101
U-MOSVII-H
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Toshiba
Konfiguracja: Dual
Transkonduktancja przewodzenia – min.: 6 S
Rodzaj produktu: MOSFETs
Seria: SSM6N67NU
Wielkość opakowania producenta: 3000
Podkategoria: Transistors
Rodzaj tranzystora: 1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 17 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 26 ns
Jednostka masy: 8,500 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0 

                        
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Automotive products 
may be used as engineering samples, however; they are not intended for 
volume automotive production or reliability testing without prior 
approval by Toshiba Semiconductor and Storage. 
Please contact a Mouser Technical Sales Representative for 
further assistance.
5-0320-2

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Semi Power MOSFETs

Toshiba Semi Power MOSFETs are designed with advanced technologies, achieving low RON characteristics. The Semi Power MOSFETs are very compact and thin at 2 x 2mm and 2.9 x 2.8mm, offering the low loss and compact size MOSFETs required for battery-powered devices such as smartphones and wearable devices.

U-MOSVII-H MOSFETs

Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are logic-level gate drive and low-voltage gate drive devices offered in both single-channel and dual-channel variants. These devices have a drain-source voltage range of 12V to 60V and a continuous drain current range from 0.15m to 9.0A. Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are offered in a wide range of compact, surface-mounted package types, making them ideal for high-density applications.

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.