SSM6K819R,LXHF Układy MOSFET

Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Kwalifikacje
Opakowanie
Toshiba MOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:10A PD:1.5W TSOP6F
Karta charakterystyki
9 284Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT TSOP6F N-Channel 1 Channel 100 V 10 A 20.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 8.5 nC + 175 C 1.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Układy MOSFET
Karta charakterystyki
N/A
Toshiba Układy MOSFET
Karta charakterystyki
N/A