SSM6J808R,LXHF Układy MOSFET

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Kwalifikacje Opakowanie
Toshiba MOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:-40V IC:-7A PD:1.5W TSOP6F 5 911Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT TSOP6F P-Channel 1 Channel 40 V 7 A 48 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 24.2 nC + 150 C 1.5 W AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Układy MOSFET TSOP6 P-CH 40V 7A N/A