SSM6J511NU,LF

Toshiba
757-SSM6J511NULF
SSM6J511NU,LF

Produc.:

Opis:
MOSFETs Small-signal MOSFET Power MGMT switch

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Dostępność

Stany magazynowe:
0

Nadal możesz kupić ten produkt i dodać do zaległego zamówienia.

Dostępna ilość z otwartych zamówień:
17 054
Oczekiwane: 20.02.2026
Średni czas produkcji:
20
tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™
2,29 zł 2,29 zł
1,41 zł 14,10 zł
0,907 zł 90,70 zł
0,684 zł 342,00 zł
0,611 zł 611,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
0,503 zł 1 509,00 zł
0,46 zł 2 760,00 zł
0,396 zł 3 564,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne.

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Toshiba
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
UDFN-6
P-Channel
1 Channel
12 V
14 A
6.5 mOhms
- 10 V, 10 V
1 V
47 nC
- 55 C
+ 150 C
1.25 W
Enhancement
U-MOSVII
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Toshiba
Konfiguracja: Single
Transkonduktancja przewodzenia – min.: 27 S
Rodzaj produktu: MOSFETs
Seria: SSM6J511
Wielkość opakowania producenta: 3000
Podkategoria: Transistors
Rodzaj tranzystora: 1 P-Channel
Jednostka masy: 8,500 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

U-MOSVII MOSFETs

Toshiba U-MOSVII MOSFETs are single and dual P-channel MOSFETs with low voltage gate drive and low drain-source on-resistance. These Toshiba devices have a drain-source voltage range of -12V to -20V and a continuous drain current range from -1A to +14A. The U-MOSVII MOSFETs are offered in a wide range of package types for design flexibility.

Semi Power MOSFETs

Toshiba Semi Power MOSFETs are designed with advanced technologies, achieving low RON characteristics. The Semi Power MOSFETs are very compact and thin at 2 x 2mm and 2.9 x 2.8mm, offering the low loss and compact size MOSFETs required for battery-powered devices such as smartphones and wearable devices.