Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

SSM6J507NU,LF

Name: Toshiba SSM6J507NU,LF
Brand: Toshiba
SKU: 757-SSM6J507NULF
Price: 2.7 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

757-SSM6J507NULF

Nr prod.:

SSM6J507NU,LF

Produc.:

Toshiba

Opis:

MOSFETs Small Signal MOSFET V=30V, I-10A

Karta charakterystyki:

SSM6J507NU,LF Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Toshiba SSM6J507NU,LF

Na stanie magazynowym: 18 824

Stany magazynowe:: 18 824 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 14 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	2,70 zł	2,70 zł
	1,67 zł	16,70 zł
	1,07 zł	107,00 zł
	0,817 zł	408,50 zł
	0,731 zł	731,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	0,611 zł	1 833,00 zł
	0,563 zł	3 378,00 zł
	0,49 zł	4 410,00 zł
	0,482 zł	11 568,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Toshiba
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	UDFN-6
Polaryzacja tranzystora:	P-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	30 V
Id – Ciągły prąd drenu:	10 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	20 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 25 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	1 V
Qg – ładunek bramki:	13.6 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	2.5 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	U-MOSVI
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Toshiba
Konfiguracja:	Single
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Seria:	SSM6J507
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 P-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	170 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	55 ns
Jednostka masy:	8,500 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

SSM6J507NU,LF Karta charakterystyki (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low R_DS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.

Semi Power MOSFETs

Toshiba Semi Power MOSFETs are designed with advanced technologies, achieving low R_ON characteristics. The Semi Power MOSFETs are very compact and thin at 2 x 2mm and 2.9 x 2.8mm, offering the low loss and compact size MOSFETs required for battery-powered devices such as smartphones and wearable devices.

USB Type-C™ Data Mux & Power Delivery Switches

Toshiba USB Type-C™ Data Mux and Power Delivery Switches support new features and new technology in mobile applications. Devices are charged with USB Power Delivery systems with higher charging voltages than before. For example, a 100W charging system delivers 20V/5A and would require a 30V-tolerant switch. Toshiba provides low-resistance 30V switches, including MOSFETs and IC switches, that provide overvoltage protection and slew rate control.