SSM3K35AMFV,L3F

Toshiba
757-SSM3K35AMFVL3F
SSM3K35AMFV,L3F

Produc.:

Opis:
MOSFETs LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o Toshiba SSM3K35AMFV,L3F

Na stanie magazynowym: 304 777

Stany magazynowe:
304 777 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
14 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 8000)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ †
0,701 zł 0,70 zł
0,40 zł 4,00 zł
0,168 zł 16,80 zł
0,129 zł 129,00 zł
0,12 zł 600,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 8000)
0,095 zł 760,00 zł
0,09 zł 2 160,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Toshiba
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
VESM-3
N-Channel
1 Channel
20 V
250 mA
1.1 Ohms
- 10 V, 10 V
1 V
340 pC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
Enhancement
U-MOSIII
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Toshiba
Konfiguracja: Single
Czas zanikania: 5.5 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.: 0.5 S
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 2 ns
Seria: SSM3K35AM
Wielkość opakowania producenta: 8000
Podkategoria: Transistors
Rodzaj tranzystora: 1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 6.5 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 2 ns
Jednostka masy: 24 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

Discrete Solid State Drive (SSD) Solutions

Toshiba Discrete Solid State Drive (SSD) Solutions feature a broad product lineup that meets current requirements with TVS, Shottkey Barrier Diodes (SBD), LDOs, Load Switch ICs, and the powerful eFuse IC. These SSDs can parse through data quicker than a traditional Hard Disk Drive (HDD). As SSD technology improves, it will require power circuitry that meets increasingly rigorous power demands and protection that keeps essential data safe from failures. Toshiba offers a comprehensive lineup of load switches and MOSFETs for controlling power inputs, protection ICs, and diodes designed to handle abnormal input power conditions and overvoltage surges during hotplug.

SSM3 High Current MOSFETs

Toshiba SSM3 High Current MOSFETs provide a high drain current rating, low capacitance, low on-resistance, and fast switching. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs) are semiconductor devices used for switching and amplifying electronic signals in electronic devices. Toshiba SSM3 High Current MOSFETs are ideal for mobile devices (wearable devices, smartphones, tablet PCs, etc.), load switches, DC-DC converters, and general-purpose switches. 

U-MOSIII MOSFETs

Toshiba U-MOSIII MOSFETs are single- and dual-channel MOSFETs ideal for high-speed switching applications. These Toshiba MOSFETs offer a low drain to source on-resistance and a low voltage gate drive.

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.