SSM3K345R,LF

Toshiba
757-SSM3K345RLF
SSM3K345R,LF

Produc.:

Opis:
MOSFETs LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=20V

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 49 519

Stany magazynowe:
49 519 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
18 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™
1,59 zł 1,59 zł
0,744 zł 7,44 zł
0,602 zł 60,20 zł
0,464 zł 232,00 zł
0,413 zł 413,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
0,288 zł 864,00 zł
0,284 zł 1 704,00 zł
0,28 zł 2 520,00 zł
0,267 zł 6 408,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne.

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Toshiba
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOT-23F-3
N-Channel
1 Channel
20 V
4 A
25 mOhms
- 8 V, 8 V
400 mV
3.6 nC
- 55 C
+ 150 C
2 W
Enhancement
U-MOSVI
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Toshiba
Konfiguracja: Single
Rodzaj produktu: MOSFETs
Seria: SSM3K345R
Wielkość opakowania producenta: 3000
Podkategoria: Transistors
Rodzaj tranzystora: 1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 45 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 25 ns
Jednostka masy: 11 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low RDS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.

SSM3 High Current MOSFETs

Toshiba SSM3 High Current MOSFETs provide a high drain current rating, low capacitance, low on-resistance, and fast switching. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs) are semiconductor devices used for switching and amplifying electronic signals in electronic devices. Toshiba SSM3 High Current MOSFETs are ideal for mobile devices (wearable devices, smartphones, tablet PCs, etc.), load switches, DC-DC converters, and general-purpose switches. 

Semi Power MOSFETs

Toshiba Semi Power MOSFETs are designed with advanced technologies, achieving low RON characteristics. The Semi Power MOSFETs are very compact and thin at 2 x 2mm and 2.9 x 2.8mm, offering the low loss and compact size MOSFETs required for battery-powered devices such as smartphones and wearable devices.