Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

SSM3J378R,LF

Name: Toshiba SSM3J378R,LF
Brand: Toshiba
SKU: 757-SSM3J378RLF
Price: 1.48 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

757-SSM3J378RLF

Nr prod.:

SSM3J378R,LF

Produc.:

Toshiba

Opis:

MOSFETs Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A

Karta charakterystyki:

SSM3J378R,LF Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Toshiba SSM3J378R,LF

Na stanie magazynowym: 5 790

Stany magazynowe:: 5 790 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 16 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	1,48 zł	1,48 zł
	0,916 zł	9,16 zł
	0,576 zł	57,60 zł
	0,434 zł	217,00 zł
	0,357 zł	357,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	0,28 zł	840,00 zł
	0,267 zł	1 602,00 zł
	0,219 zł	1 971,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Toshiba
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SOT-23F-3
Polaryzacja tranzystora:	P-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	20 V
Id – Ciągły prąd drenu:	6 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	29.8 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 8 V, 6 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	1 V
Qg – ładunek bramki:	12.8 nC
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	2 W
Tryb kanału:	Enhancement
Kwalifikacje:	AEC-Q101
Nazwa handlowa:	U-MOSVI
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Toshiba
Konfiguracja:	Single
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	4.5 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Seria:	SSM3J378R
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 P-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	107 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	32 ns
Jednostka masy:	11 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

                        
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Automotive products 
may be used as engineering samples, however; they are not intended for 
volume automotive production or reliability testing without prior 
approval by Toshiba Semiconductor and Storage. 
Please contact a Mouser Technical Sales Representative for 
further assistance.
5-0320-2

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

SSM3J378R,LF Karta charakterystyki (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low R_DS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.

Semi Power MOSFETs

Toshiba Semi Power MOSFETs are designed with advanced technologies, achieving low R_ON characteristics. The Semi Power MOSFETs are very compact and thin at 2 x 2mm and 2.9 x 2.8mm, offering the low loss and compact size MOSFETs required for battery-powered devices such as smartphones and wearable devices.

Rozwiązania dla motoryzacji

Rozwiązania dla motoryzacji firmy Toshiba obejmują różne samochodowe urządzenia półprzewodnikowe zaprojektowane w celu poprawy bezpieczeństwa jazdy. Są to między innymi zaawansowane systemy wspomagania kierowcy (ADAS) wykorzystujące procesor rozpoznawania obrazu. Firma Toshiba oferuje najnowocześniejsze i gotowe na przyszłe wyzwania technologie półprzewodnikowe, aby dostarczać kompleksowe rozwiązania wspomagania kierowcy. Rozwiązania te obejmują systemy samodzielnego prowadzenia pojazdu, które naśladują pracę ludzkich oczu i innych złożonych ludzkich zmysłów.