SQUN702E-T1_GE3

Vishay Semiconductors
78-SQUN702E-T1_GE3
SQUN702E-T1_GE3

Produc.:

Opis:
MOSFETs 40-V N- & P-CH COMMON DRAIN + 200-V

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o Vishay Semiconductors SQUN702E-T1_GE3

Dostępność

Stany magazynowe:
Niedostępne na stanie
Średni czas produkcji:
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2000)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ †
16,08 zł 16,08 zł
12,04 zł 120,40 zł
10,45 zł 1 045,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2000)
8,86 zł 17 720,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Vishay
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
Triple die
N-Channel, P-Channel
3 Channel
40 V, 200 V
20 A, 30 A
9.2 mOhms, 30 mOhms, 60 mOhms
- 25 V, 25 V
1.5 V, 2.5 V
14 nC, 23 nC, 30.2 nC
- 55 C
+ 175 C
48 W, 60 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Vishay Semiconductors
Konfiguracja: Triple
Kraj montażu: Not Available
Kraj wytworzenia: Not Available
Kraj pochodzenia: DE
Czas zanikania: 2 ns, 10 ns, 19 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.: 16 S, 19 S, 65 S
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 3 ns, 9 ns, 12 ns
Seria: SQUN
Wielkość opakowania producenta: 2000
Podkategoria: Transistors
Rodzaj tranzystora: 2 N-Channel, 1 P-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 15 ns, 22 ns, 43 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 7 ns, 8 ns, 10 ns
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

Integrated MOSFET Solutions

Vishay Integrated MOSFET Solutions combine components into a single monolithic chip to increase power density and efficiency, simplify design, and reduce Bill of Material (BOM) costs. These single- and multi-die MOSFETs integrate features such as Schottky Barrier diodes and ESD protection. These MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance. 

Integrated MOSFETs with Common Drain

Vishay Integrated MOSFETs with Common Drain are 1, 2, and 3-channels offering surface mounting. The Integrated MOSFETs feature N-channel, and N+P-channel options, as well as a breakdown voltage range of 20V to 200V. The Enhancement Mode MOSFETs have 6 or 8-pins, a power dissipation range of 1.5W to 69.4W, and on drain-source resistance of 2.15mΩ to 26mΩ.

N- & P-Channel Pair Thermally Enhanced MOSFETs

Vishay N- and P-Channel Pair Thermally Enhanced MOSFETs combine the N-channel and P-channel MOSFET pairs into one package. These Vishay N- and P-Channel MOSFETs are designed to minimize the ON-state Resistance (RDS(on)) while maintaining superior switching performance. In addition, combining both the N-channel and P-channel MOSFETs into a single IC saves PCB space and simplifies application design. 

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.