SQJ443AEP-T1_GE3 Układy MOSFET

Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Opakowanie
Vishay / Siliconix MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Karta charakterystyki
2 173Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8L P-Channel 1 Channel 40 V 40 A 8.1 mOhms - 10 V, 10 V 2 V 38 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay Układy MOSFET PPAKSO8 P-CH 30V 40A
Karta charakterystyki
N/A

Si
Vishay Układy MOSFET
Karta charakterystyki
N/A